Struktur af sekskantet bornitrid

Bornitrid (BN) er et nyt nanomateriale med bred-båndgab med fremragende egenskaber og stort udviklingspotentiale. Det er en typisk forbindelse af gruppe ⅲ - ⅴ, sammensat af nitrogenatomer og boratomer. Nitrogenatomer og boratomer kombineres med hinanden på forskellige hybride måder for at danne bornitrid med forskellige fasestrukturer: hexagonalt bornitrid (H-BN), rhomboidalt bornitrid (R-BN), kubisk bornitrid nitrid (C-BN), wurtzitbornitrid (W-BN) og ortogonalt bornitrid (O-BN). Blandt dem er hexagonal bornitrid den eneste bornitridfase, der findes i naturen.

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), høj iltmodstand på 900 grader, høj temperaturmodstand på 2000 grader, lav termisk ekspansion/krympningshastighed, god varmeafledning langs C--aksen og har en bred vifte af anvendelser. Desuden kan enkelt- eller flerlags hexagonale BORON nitrøse rør nanomaterialer krympes til hexagonale nitrøse bor nitrøse rør.