Det tordnende siliciumcarbid

I de seneste to år har tredje generations halvledermateriale siliciumcarbid (SiC) blæst meget højt, som torden. Sidste år vil nogle medier være 2021 som "siliciumcarbid eksplosionsår". I år er der folk vil være 2022 som "siliciumcarbid power chip applikationer af det nye år", jeg ved ikke, om næste år vil være i stand til at komme med nye slogans (her henvises til "det 21. århundrede er århundredet af biologi"). Kapitalmarkedet er også vinden, og siliciumcarbid, der gnider en lille kant af emnet, går i vejret.

SiC er det bedst egnede materiale til strømforsyninger.

Halvledermaterialer sammensat af silicium har ændret vores liv, jeg tror, ​​at i fremtiden i lang tid, vil silicium halvleder stadig være mainstream. Under udviklingen af ​​siliciummaterialer i årtier er der stødt på nogle problemer, og mange mennesker har forsøgt at erstatte det med forskellige materialer. Halvledermaterialer har også udviklet tre generationer. Siliciumcarbid er tredje generation af halvledermaterialer. Da SiC har en bred forbudt båndbredde, hvilket fører til materialeegenskaber såsom høj elektrisk nedbrydningsstyrke. Ved at drage fordel af SiC's materialeegenskaber har SiC-effektenheder fordele såsom højspændingsmodstand, lille størrelse, lavt strømforbrug og høj temperaturmodstand.

Denne fordel afspejles hovedsageligt i strømforsyningerne. Baseret på de førnævnte egenskaber, de samme specifikationer for SiC-MOSFET sammenlignet med Si-MOSFET, er on-resistens reduceret til 1/200, størrelsen er reduceret til 1/10; de samme specifikationer for brugen af ​​SiC-MOSFET inverter og brugen af ​​Si-IGBT sammenlignet med det samlede energitab er mindre end 1/4.

Power-enheder er en af ​​de vigtige grundlæggende komponenter i kraftelektronikindustrien, meget udbredt i elektrisk kraftudstyr, strømkonvertering og kredsløbskontrol og andre områder, er en uundværlig kerne halvlederprodukter i det industrielle system. Den hurtige vækst af nye energikøretøjer til kraftenheder har bragt et bredt udviklingsrum. Siliciumcarbid MOSFET til at erstatte silicium-baseret IGBT er trenden.

SiC-MOSFET har lav on-modstand og lavt switchtab, hvilket er mere velegnet til anvendelse i højfrekvente kredsløb. I den nye energikøretøjsmotorstyreenhed, køretøjets strømforsyning, solcelle-inverter, opladningsbunke, UPS og andre områder har en bred vifte af applikationer.
Med hensyn til siliciumcarbid har vi stadig et par punkter, der skal gøres klart.

For det første er SiC ikke en fuld erstatning for silicium. Fordelene ved siliciumcarbid er højtryksmodstand, høj temperaturbestandighed, lavt energitab, men disse fordele afspejles ikke i forbrugerelektronikprodukter. Tværtimod er SiC-wafere vanskelige at forberede, omkostningerne er for høje, og ætsning er vanskelig, så det kan ikke helt erstatte siliciummaterialet.

For det andet har ydeevnen af ​​siliciumcarbid og galliumnitrid deres eget fokus, forskellige anvendelsesområder. SiC fokuserer på højspænding, GaN fokuserer på højfrekvens, de to materialer har ikke meget konkurrencedygtige egenskaber, og anvendelsesscenarier er ikke de samme.

Hertil kommer, at selv SiC's fordelagtige felt - strøm-enheder, SiC er ikke en dominerende, silicium-baseret IGBT er ikke umulig at bruge.

Shengyang New Materials Co., Ltd. er forpligtet til at producere siliciumcarbid- og siliciumcarbidbehandlingsprodukter og kan tilpasse forskellige siliciumcarbidkomponenter efter kundernes behov. Kontakt os om nødvendigt.
Telefon:+8618560961205
Email sales@zbsyxc.com
WhatsApp:+86139694302243