SILICIUMCARBIDBAKKE
Anvendelser: ICP-ætsningsproces for epitaksiale tyndfilmsmaterialer (GaN, SiO2, etc.) til LED-waferkerner, halvlederdiffusion ved brug af præcisionskeramiske dele og MOCVD epitaksial proces til halvlederwafers. Keramiske bakker af siliciumcarbid er lavet af sintret siliciumcarbid-keramisk materiale med høj renhed, utryksat, som har fordelene ved høj hårdhed, slidstyrke, høj termisk ledningsevne, mekanisk stabilitet ved høj temperatur og korrosionsbestandighed samt høj præcision og ensartethed af wafer epitaksial lagætsning.
Beskrivelse
SiC bakker har mange fordele i forhold til andre typer bakker. Først og fremmest gør deres høje varmeledningsevne dem ideelle til varmebehandlingsprocesser, såsom sintring og lodning. De kan modstå temperaturer op til 1650 grader uden at vride eller nedbrydes, hvilket betyder, at de kan bruges i barske miljøer, hvor andre materialer ville fejle.
For det andet er siliciumcarbidbakker kemisk inerte og reagerer ikke med de fleste kemikalier, herunder syrer, baser og salte. Denne funktion gør dem ideelle til brug i den kemiske og farmaceutiske industri, hvor hårde kemikalier ofte bruges.
For det tredje er SiC-bakker meget slidstærke og har en lav termisk udvidelseskoefficient. Dette gør dem ideelle til brug i højtemperaturovne, hvor dele skal passe godt og ikke udvide sig eller trække sig sammen på grund af termiske ændringer.
